Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR616DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR616DP
SIR616DP-T1-GE3 Hakkında
SIR616DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım sağlar. 50.5mΩ Rds(on) değeri ile düşük gerilim düşüşü ve ısı kaybı minimuma indirilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürme gerilimi ile entegre devrelerden direkt kontrolü mümkündür. 52W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok