Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR610DP
SIR610DP-T1-RE3 Hakkında
SIR610DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 35.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama görevi üstlenir. 31.9mΩ maksimum on-direnci ile enerji kaybını minimize eder. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, inverterler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SIR610DP, 104W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir ve 38nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok