Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR606DP
SIR606DP-T1-GE3 Hakkında
SIR606DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 37A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 16.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. 44.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek yoğunluklu güç devreleri tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 44.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok