Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR584DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR584DP
SIR584DP-T1-RE3 Hakkında
SIR584DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 24.7A sürekli drenaj akımı ve 3.9mOhm (10V, 15A'da) düşük iç direnci sayesinde güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. PowerPAK SO-8 Surface Mount paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 56nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok