Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR582DP
SIR582DP-T1-RE3 Hakkında
SIR582DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 28.9A sürekli akım kapasitesi (25°C'de) ile sahip olan bu transistör, PowerPAK® SO-8 paketinde sunulmaktadır. 3.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu cihaz, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 67nC gate charge ve düşük input kapasitansiyle hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.9A (Ta), 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3360 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok