Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR580DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR580DP
SIR580DP-T1-RE3 Hakkında
SIR580DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ve 35.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 2.7mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketlemesinde sunulur. Anahtarlama devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.8A (Ta), 146A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok