Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR5802DP
SIR5802DP-T1-RE3 Hakkında
SIR5802DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 80V drain-source voltajı ve 33.6A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33.6A (Ta), 137.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok