Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR578DP
SIR578DP-T1-RE3 Hakkında
SIR578DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ve 17.2A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketiyle sağlanan bu bileşen, anahtarlama, güç dönüştürme, motor kontrolü ve DC-DC konverter uygulamalarında kullanılır. 8.8mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 104W güç yayılma kapasitesi (Tc) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Gate charge değeri 45nC olup, 4V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta), 70.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2540 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok