Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR514DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR514DP
SIR514DP-T1-RE3 Hakkında
SIR514DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 20.8A sürekli drenaj akımı ve 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.8A (Ta), 84.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok