Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR512DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR512DP
SIR512DP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR512DP-T1-RE3, 100V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 25.1A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 100A (Tc) kapasitesine sahip olup, 4.5mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. 62nC gate charge ve 3400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulanabilirlik alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.1A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Ta), 96.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok