Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR510DP
SIR510DP-T1-RE3 Hakkında
SIR510DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 31A (Ta) / 126A (Tc) drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.6mΩ (max) on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 104W (Tc) güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 126A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok