Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR500DP
SIR500DP-T1-RE3 Hakkında
SIR500DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile tasarlanmış olup, 25°C'de 85.9A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Düşük on-resistance değeri (0.47mOhm @ 20A, 10V) ile güç kaybını minimize eder. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V sürü voltajlarında karakterize edilmiştir ve 180nC kapı yükü ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarımı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8960 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.47mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok