Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR492DP
SIR492DP-T1-GE3 Hakkında
SIR492DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 3.8mOhm düşük on-direnci (Rds On) sayesinde ısı kaybı minimize edilir. PowerPAK SO-8 paket tipi ile yüzey montajlı PCB tasarımlarında yer alır. -50°C ile +150°C arasında çalışır. Kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve motor sürücü devrelerinde tercih edilir. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri ile dijital devre entegrasyonuna uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok