Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR474DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR474DP
SIR474DP-T1-GE3 Hakkında
SIR474DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 9.5mOhm düşük on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama özelliği sunar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içinde gelen bu bileşen, DC-DC konvertörler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 3.9W (Ta) ile 29.8W (Tc) güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 985 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok