Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR472ADP
SIR472ADP-T1-GE3 Hakkında
SIR472ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (9mOhm @ 15A, 10V) sayesinde ısı kaybı minimize edilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 4.5V-10V sürücü gerilimi ile kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok