Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR470DP
SIR470DP-T1-GE3 Hakkında
SIR470DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drenaj-kaynak gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar, bu da ısıl kaybın azaltılmasını ve verimli enerji kullanımını mümkün kılar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve AC-DC adaptörleri gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok