Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR4606DP
SIR4606DP-T1-GE3 Hakkında
SIR4606DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve maksimum 16A sürekli akım kapasitesi ile DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Düşük on-resistance (18.5mOhm @ 10V) ile enerji kaybı minimize eder. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 31.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok