Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR4602LDP-T1-RE3
POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR4602LDP
SIR4602LDP-T1-RE3 Hakkında
SIR4602LDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 kasa tipi ile surface mount uygulamalarında kullanılır. 60V drain-source gerilimi ve 15.2A (Ta) / 52.1A (Tc) sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 8.8mOhm (10V, 10A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile verimliliği artırır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 29nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1185 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok