Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR440DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR440DP
SIR440DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR440DP-T1-GE3, PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 60A sürekli drenaj akımı ve 1.55mΩ (10V, 20A'da) düşük on-state direnci ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışır, 2.5V (250µA'da) kapı eşik voltajına sahiptir. Surface mount montajı için optimize edilmiş tasarım, kompakt güç yönetimi, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv ortamlarında kullanımını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok