Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR432DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR432DP
SIR432DP-T1-GE3 Hakkında
SIR432DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 28.4A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 30.6mΩ on-resistance karakteristiği ile verimli enerji yönetimi sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 32nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1170 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.6mOhm @ 8.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok