Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR426DP
SIR426DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR426DP-T1-GE3, 40V drain-source gerilim ile 30A sürekli drain akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 10.5mOhm on-state direnci sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş sıcaklık ortamlarındaki kullanımına olanak tanır. Maksimum 4.5V gate drive voltajında hızlı anahtarlama performansı sunarak güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve şarj kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source gerilim toleransı ve 2.5V eşik voltajı ile güvenilir ve kontrollü komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok