Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR424DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR424DP
SIR424DP-T1-GE3 Hakkında
SIR424DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source geriliminde 30A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnci (5.5mΩ @ 10V) ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketine sahip olan SIR424DP, anahtarlama hızı ve enerji verimliliğinin kritik olduğu DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, yüksek güç uygulamaları için 41.7W ısı yönetimi kapasitesi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok