Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR414DP
SIR414DP-T1-GE3 Hakkında
SIR414DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj, 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konaklanma kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 117nC olup hızlı anahtarlama performansı gerekli devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, güç yönetimi, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok