Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR410DP
SIR410DP-T1-GE3 Hakkında
SIR410DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücü devreler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 36W güç dağılımına kapaklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok