Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR406DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR406DP
SIR406DP-T1-GE3 Hakkında
SIR406DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajında 40A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 3.8mΩ maksimum On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde ve motor sürücü devrelerinde tercih edilir. Kısa gate charge süresi (50nC) hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2083 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok