Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR401DP
SIR401DP-T1-GE3 Hakkında
SIR401DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 50A maksimum drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 3.2mOhm açık durumda kanal direnci, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol, motorlar ve pil yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9080 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok