Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR330DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR330DP
SIR330DP-T1-GE3 Hakkında
SIR330DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 35A sürekli dren akımı sunmaktadır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket içerisinde gelmektedir. 10V gate geriliminde 5.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 35nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde tercih edilmektedir. Maksimum ±20V gate gerilimi toleransına ve 2.5V eşik gerilime (250µA'da) sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) statüdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok