Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR188DP
SIR188DP-T1-RE3 Hakkında
SIR188DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 25.5A (Ta @ 25°C) ve 60A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi sayesinde güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. 3.85mΩ (@ 10A, 10V) düşük RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket tipi, kompakt PCB tasarımlarına uygun olup -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 44nC gate charge ve 1920pF input kapasitansı hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.85mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok