Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR184DP
SIR184DP-T1-RE3 Hakkında
SIR184DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20.7A (Ta) / 73A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzeye monte edilebilir paketlemede sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç (5.8mΩ @ 10A, 10V) ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Güç dönüştürücüler, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Ta), 73A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok