Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR182LDP
SIR182LDP-T1-RE3 Hakkında
SIR182LDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel 60V Power MOSFET transistördür. 31.7A (Ta) / 130A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.75mΩ (10V, 15A) düşük on-direnci sayesinde ısı kaybı minimumda tutulur. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.7A (Ta), 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok