Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR180DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR180DP
SIR180DP-T1-RE3 Hakkında
SIR180DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 32.4A sürekli drenaj akımı (Ta) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 2.05mOhm drain-source direnci ve düşük gate yükü (87nC @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4030 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.05mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok