Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR178DP
SIR178DP-T1-RE3 Hakkında
SIR178DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Pulse akımı 430A'ye ulaşabilir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi ile sağlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (0.4mOhm @ 30A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimuma indirir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 2.5V ve 10V sürme geriliminde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta), 430A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12430 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.3W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok