Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR172DP
SIR172DP-T1-GE3 Hakkında
SIR172DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri başta olmak üzere endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 997 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 29.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 16.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok