Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR170DP
SIR170DP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR170DP-T1-RE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source gerilim kapasitesi ile tasarlanmıştır. 23.2A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C) ve 95A pulse akımı (Tc) yeteneklerine sahiptir. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunarak enerji kaybını minimize eder. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde üretilen bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olması, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6195 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok