Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR167DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR167DP
SIR167DP-T1-GE3 Hakkında
SIR167DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli dren akımı (Id) ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu transistör, 5.5mΩ Rds(on) değeri ile düşük kayıp ısıtma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ters polarite koruması gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 65.8W maksimum güç harcaması ile soğutma gereksinimlerini azaltır. 4.5V-10V sürücü gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4380 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok