Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR164DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR164DP
SIR164DP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR164DP-T1-RE3, N-channel MOSFET transistörüdür ve 30V drain-source gerilimi ile 50A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde üretilen bu bileşen, düşük 2.5mΩ (10V, 15A koşullarında) on-state direnci ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 123nC olup, hızlı anahtarlama gerekli olan devrelerde kullanım için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok