Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR164DP
SIR164DP-T1-GE3 Hakkında
SIR164DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source geriliminde 50A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençi (2.5mΩ @ 10V, 15A) ile güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. Gate charge değeri 123 nC olarak belirtilmiş, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve anahtarlamalı güç elektronik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde tetiklenir ve maksimum ±20V gate gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok