Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR164ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR164ADP
SIR164ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR164ADP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 35.9A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu FET, 2.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dağılımı Ta'da 5W, Tc'de 62.5W'tır. 77nC gate charge ve 3595pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. DC-DC konverterler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.9A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok