Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR124DP
SIR124DP-T1-RE3 Hakkında
SIR124DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ile 16.1A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Düşük RDS(on) değeri (8.4 mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında ısı kaybını minimize eder. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1666 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok