Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR122LDP
SIR122LDP-T1-RE3 Hakkında
SIR122LDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen 80V N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 17.2A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 62.3A (Tc) kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 7.35mΩ düşük gate direnci (Rds On) ile verimli güç dağılımı sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta), 62.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2380 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.35mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok