Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR122DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR122DP
SIR122DP-T1-RE3 Hakkında
SIR122DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj dayanımı ve 16.7A (Ta) / 59.6A (Tc) drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 7.4mΩ on-dirençi (Rds On) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 44nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok