Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR120DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR120DP
SIR120DP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR120DP-T1-RE3, N-channel MOSFET transistördür ve 80V drain-source voltajda çalışabilmektedir. 25°C'de 24.7A ve Tc koşullarında 106A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate voltajında ve 15A drain akımında 3.55mΩ olup, düşük on-state direncinin gerektiği uygulamalarda tercih edilir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında ve 5.4W (Ta) / 100W (Tc) güç dissipasyonuyla tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24.7A (Ta), 106A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.55mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok