Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJH800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJH800E
SIJH800E-T1-GE3 Hakkında
SIJH800E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.55mΩ RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, motor sürücüleri, güç kaynakları, LED aydınlatma kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Gate charge 210nC @ 10V olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 299A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10230 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok