Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJH600E
SIJH600E-T1-GE3 Hakkında
SIJH600E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 37A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 0.92Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, PowerPAK® 8x8 SMD paketinde sunulur. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 373A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9950 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92Ohm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok