Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJH440E-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJH440E
SIJH440E-T1-GE3 Hakkında
SIJH440E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj kapasitesi ile 200A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paketlemesi, kompakt tasarımlar için uygun boyutlar sunar. Düşük RDS(on) değeri (10V'de 0.96mOhm) ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ortamlar için elverişlidir. Motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, invertörler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20330 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.96mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok