Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJH112E-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJH112E
SIJH112E-T1-GE3 Hakkında
SIJH112E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerTDFN 8x8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç (2.8mΩ @ 20A, 10V) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 160nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarlanmıştır. LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 225A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8050 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok