Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJA74DP
SIJA74DP-T1-GE3 Hakkında
SIJA74DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C) ile belirtilmiştir. 3.99mΩ RDS(on) değeri düşük açık direnç sağlayarak ısıl kaybı minimize eder. PowerPAK® SO-8 paket tipi ile kompakt boyut ve yüksek ısıl yönetim kapasitesi sunmaktadır. 41nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması uygulamaları, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 81.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.99mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok