Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJA54DP
SIJA54DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJA54DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.35mΩ @ 10V) ile yüksek güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 36.7W güç yayılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü, şarj cihazları ve endüstriyel sürücülerde yaygın olarak kullanılır. 104nC gate charge ve 5300pF giriş kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok