Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJA52DP
SIJA52DP-T1-GE3 Hakkında
SIJA52DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim, 60A sürekli drain akımı ve 1.7mΩ on-state direnç değerleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek akımlu anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığı ve düşük Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7150 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok