Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIJA22DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIJA22DP
SIJA22DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIJA22DP-T1-GE3, 25V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 64A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 201A kısa süreli (Tc) yüksek akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 0.74mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi kullanarak kompakt PCB tasarımları mümkün kılar. Gate charge 125nC @ 10V'ta, input kapasitesi 6500pF @ 15V'ta belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışır, maksimum 48W güç dağıtabilir. Motor sürücüleri, DC-DC konvertörler, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Ta), 201A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.74mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok